參數(shù)資料
型號： MCH5805
廠商： SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： MCPH5, 5 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 40K
代理商： MCH5805
MCH5805
No.7125-2/5
Electrical Characteristics at Ta=25
°C
Ratings
Parameter
Symbol
Conditions
min
typ
max
Unit
[MOSFET]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS
ID=--1mA, VGS=0
--60
V
Zero-Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS=--60V, VGS=0
--1
A
Gate-to-Source Leakage Current
IGSS
VGS=±16V, VDS=0
±10
A
Cutoff Voltage
VGS(off)
VDS=--10V, ID=--1mA
--1.2
--2.6
V
Forward Transfer Admittance
yfs
VDS=--10V, ID=--0.3A
460
670
mS
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
ID=--0.3A, VGS=--10V
1.3
1.7
RDS(on)2
ID=--0.2A, VGS=--4V
1.6
2.3
Input Capacitance
Ciss
VDS=--20V, f=1MHz
73
pF
Output Capacitance
Coss
VDS=--20V, f=1MHz
7
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS=--20V, f=1MHz
4
pF
Turn-ON Delay Time
td(on)
See specified Test Circuit.
6
ns
Rise Time
tr
See specified Test Circuit.
3.5
ns
Turn-OFF Delay Time
td(off)
See specified Test Circuit.
12.5
ns
Fall Time
tf
See specified Test Circuit.
3
ns
Total Gate Charge
Qg
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--0.6A
2.4
nC
Gate-to-Source Charge
Qgs
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--0.6A
0.6
nC
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Qgd
VDS=--10V, VGS=--10V, ID=--0.6A
0.2
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=--0.6A, VGS=0
--0.88
--1.2
V
[SBD]
Reverse Voltage
VR
IR=50A50
V
Forward Voltage
VF1IF=100mA
0.55
V
Reverse Current
IR
VR=25V
15
A
Interterminal Capacitance
C
VR=10V, f=1MHz
4.4
pF
Reverse Recovery Time
trr
IF=IR=100mA, See specified Test Circuit.
10
ns
Electrical Connection (Top view)
Switching Time Test Circuit
trr Test Circuit
[MOSFET]
[SBD]
PW=10
s
D.C.
≤1%
P.G
50
G
S
D
ID= --0.3A
RL=100
VDD= --30V
VOUT
MCH5805
VIN
0V
--10V
VIN
Duty
≤10%
50
100
10
--5V
trr
100mA
10mA
10
s
54
12
3
1 : Gate
2 : Source
3 : Anode
4 : Cathode
5 : Drain
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