- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377943 > MBM29F040A-90 (Fujitsu Limited) 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F040A-90 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8）位閃存Memoery（為512k × 8位5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 37/42頁 |
| 文件大小： | 492K |
| 代理商： | MBM29F040A-90 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁
37
MBM29F040A
-70/-90/-12
(Continued)
0
15
30
45
75
60
–30 –15
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
ACC
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
A
,
V
CC
= 5.0 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
CE
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
C
,
V
CC
= 5.0 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
OE
, t
DF
vs. AMBIENT TEMPERATURE
t
O
,
D
,
V
CC
= 5.0 V
CURRENT WAVE FORM (Chip Erase)
1 s/Division
I
C
Pre-Program
Erase
V
IH
WE
V
IL
0
15
30
45
75
60
–30 –15
t
OE
t
DF
0
15
30
45
75
60
–30 –15
30
20
10
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040A | 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F040C | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F040C-55PD | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PFTN | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-SOIC 0 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PD | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。