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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F040A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8）位閃存Memoery（為512k × 8位5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 5/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | MBM29F040A-70 |
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5
MBM29F040A
-70/-90/-12
I
PRODUCT SELECTOR GUIDE
I
BLOCK DIAGRAM
Part No:
MBM29F040A
Ordering Part No:
MBM29F040A – 70
MBM29F040A – 90
MBM29F040A – 12
Max. Address Access Time (ns)
70
90
120
Max. CE Access Time (ns)
70
90
120
Max. OE Access Time (ns)
30
35
50
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
18
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
7
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90 | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F040A | 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲器) |
| MBM29F040C | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F040C-55PD | 4M (512K X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PD | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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