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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F040A-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 4分（為512k × 8）位閃存Memoery（為512k × 8位5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 492K |
| 代理商： | MBM29F040A-70 |
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23
MBM29F040A
-70/-90/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
Notes: 1.This does not include the preprogramming time.
2.This timing is only for Sector Protect operations.
Parameter Symbols
Description
–70
–90
–12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
45
45
50
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
30
45
50
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
10
ns
t
GHWL
t
GHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
0
ns
t
ELWL
t
CS
CE Setup Time
Min.
0
0
0
ns
t
WHEH
t
CH
CE Hold Time
Min.
0
0
0
ns
t
WLWH
t
WP
Write Pulse Width
Min.
35
45
50
ns
t
WHWL
t
WPH
Write Pulse Width High
Min.
20
20
20
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
1
1
sec
Max.
15
15
15
sec
—
t
VCS
V
CC
Set Up Time
Min.
50
50
50
μ
s
—
t
VLHT
Voltage Transition Time (Notes 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
WPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
100
100
μ
s
—
t
OESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
—
t
CSP
CE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
4
4
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90 | 4M (512K ×8) BIT Flash Memoery(512K ×8位 5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F040A | 4M (512K ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓512K ×8位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F040C | 4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55 | Replaced by TPS2041B : 0.7A, 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-Low Enable 8-PDIP -40 to 85 |
| MBM29F040C-55PD | 4M (512K X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F040A-90-X | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 4M 512K X 8 BIT |
| MBM29F040C | 制造商:FUJRTSU 功能描述: |
| MBM29F040C-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PD | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8) BIT |
| MBM29F040C-55PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY 4M (512K x 8) BIT |
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