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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB84VD21182 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（× 8 / × 16）閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/55頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 907K |
| 代理商： | MB84VD21182 |
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MB84VD2118XA-
85
/MB84VD2119XA-
85
43
Read Cycle (SRAM)
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time
85
5
85
ns
t
AA
Address Access Time
ns
t
CO1
Chip Enable (CE1s) Access Time
85
ns
t
CO2
Chip Enable (CE2s) Access Time
85
ns
t
OE
Output Enable Access Time
45
ns
t
BA
LB
S
, UB
S
to Output Valid
85
35
ns
t
COE
Chip Enable (CE1s Low and CE2s High) to Output Active
ns
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
ns
t
BE
UB
S
, LB
S
Enable Low to Output Active
0
10
ns
t
OD
Chip Enable (CE1s High or CE2s Low) to Output High-Z
ns
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
35
ns
t
BD
UB
S
, LB
S
Output Enable to Output High-Z
50
ns
t
OH
Output Data Hold Time
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD21182-85-PBS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
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參數(shù)描述 |
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