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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD21182 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（× 8 / × 16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 33/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 907K |
| 代理商： | MB84VD21182 |
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MB84VD2118XA-
85
/MB84VD2119XA-
85
33
Write Cycle (WE control) (Flash)
Addresses
WE
OE
CEf
DQ
3rd Bus Cycle
555H
A0H
PD
DQ
7
D
OUT
D
OUT
PA
PA
Data Polling
t
WC
t
CS
t
WP
t
DS
t
DH
t
OH
t
OE
t
CE
f
t
WPH
t
WHWH1
t
GHWL
t
CH
t
AS
t
AH
t
RC
Notes : 1. PA is address of the memory location to be programmed.
2. PD is data to be programmed at byte address.
3. DQ
7
is the output of the complement of the data written to the device.
4. D
OUT
is the output of the data written to the device.
5. Figure indicates last two bus cycles out of four bus cycle sequence.
6. These waveforms are for the
×
16 mode. (The addresses differ from
×
8 mode.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD21182-85-PBS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21182-85-PTS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21183 | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21181-85-PBS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21181-85-PTS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB84VD21182-85-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21182-85-PTS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21182EM-70PBS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM CMOS |
| MB84VD21183 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21183-85-PBS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
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