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參數(shù)資料
| 型號： | MB84VD21182 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| 中文描述： | 1,600（× 8 / × 16）閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 907K |
| 代理商： | MB84VD21182 |
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MB84VD2118XA-
85
/MB84VD2119XA-
85
27
(Continued)
(Continued)
Parameter
Symbol
*: V
CC
indicates lower of V
CC
f or V
CC
s.
Notes :
1. The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component.
2. I
CC
active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.
3. Automatic sleep mode enables the low power mode when address remain stable for 150ns.
4. Applicable for only V
CC
f applying.
5. Embedded Alogorithm (program or erase) is in progress. (@5MHz)
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
IL
Input Low Level
0.3
0.5
V
CC
+
0.3*
V
V
IH
Input High Level
2.4
V
V
ID
Voltage for Sector
Protection, and Temporary
Sector Unprotection
(RESET) (Note 4)
11.5
12.5
V
V
ACC
Voltage for Program
Acceleration (WP/ACC)
(Note4)
8.5
9.0
9.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
V
CC
f
=
V
CC
f Min., V
CC
s
=
V
CC
s Min.,
I
OL
=
1.0 mA
V
CC
f
=
V
CC
f Min., V
CC
s
=
V
CC
s Min.,
I
OH
=
0.5 mA
0.4
V
V
OH
Output High Voltage Level
2.4
V
V
LKO
Flash Low V
CC
f Lock-Out
Voltage
2.3
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB84VD21182-85-PBS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21182-85-PTS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21183 | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21181-85-PBS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
| MB84VD21181-85-PTS | 16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB84VD21182-85-PTS | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M ( x 8/ x 16) FLASH MEMORY & 4M ( x 8/ x 16) STATIC RAM |
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