參數(shù)資料
型號： MB84VD2009
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (x 16) FLASH MEMORY & 2M (x 16) STATIC RAM
中文描述： 8米（× 16）閃存
文件頁數(shù)： 23/30頁
文件大小： 393K
代理商： MB84VD2009
23
MB84VD2008
-10
/MB84VD2009
-10
Read Cycle (SRAM)
Read Cycle (Note 1) (SRAM)
Note:
1. WE remains HIGH for the read cycle.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Min.
Max.
Unit
t
RC
Read Cycle Time
85
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
85
ns
t
CO
Chip Enable (CEs) Access Time
—
85
ns
t
OE
Output Enable Access Time
—
45
ns
t
BA
UB, LB Access Time
—
45
ns
t
COE
Chip Enable Low to Output Active
5
—
ns
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
—
ns
t
BE
UB, LB Low to Output Active
0
—
ns
t
OD
Chip Enable High to Output High-Z
—
35
ns
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
—
35
ns
t
BD
UB, LB High to Output High-Z
—
35
ns
t
OH
Output Data Hold Time
10
—
ns
t
RC
t
AA
t
OH
t
CO
t
ODO
t
OEE
t
COE
VALID DATA OUT
ADDRESSES
CEs
OE
D
OUT
UB, LB
t
OE
t
BA
t
OD
t
BE
t
BD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MB84VD21083-85-PBS Circular Connector; MIL SPEC:MIL-DTL-38999 Series III; Body Material:Metal; Series:TV06; Number of Contacts:53; Connector Shell Size:23; Connecting Termination:Crimp; Circular Shell Style:Straight Plug; Body Style:Straight
MB84VD2109X-85 RF/Coaxial Connector; RF Coax Type:N; Contact Termination:Crimp; Impedance:50ohm; Body Style:Straight Plug; RG Cable Type:59, 62, 140, 210, Belden 8241, 8263, 8279, 9209 RoHS Compliant: Yes
MB84VD21081 16M (x8/x16) FLASH MEMORY & 2M (x8/x16) STATIC RAM
MB84VD21081-85-PBS 16M (x8/x16) FLASH MEMORY & 2M (x8/x16) STATIC RAM
MB84VD21081-85-PTS 16M (x8/x16) FLASH MEMORY & 2M (x8/x16) STATIC RAM
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