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參數(shù)資料
| 型號： | MB81V4800S-60 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS為512k × 8位快速頁面模式的DRAM（的CMOS為512k × 8位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 17/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 328K |
| 代理商： | MB81V4800S-60 |
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17
MB81V4800S-60/MB81V4800S-70
t
AA
t
CAC
t
WP
t
CAH
t
CAH
t
CRP
COL
ADD
ROW
ADD.
COL
ADD
COL
ADD
VALID
VALID
VALID
HIGH-Z
t
DZO
“H” or “L”
Invalid Data
Fig. 11 – FAST PAGE MODE OE WRITE CYCLE
DESCRIPTION
The fast page mode OE (delayed) write cycle is executed in the same manner as the fast page mode write cycle except for the states
of WE and OE. Input data on the DQ pins are latched on the falling edge of WE and written into memory. In the fast page mode
delayed write cycle, OE must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
DQ
(Input)
DQ
(Output)
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
OE
t
CAS
t
RCD
t
CSH
t
RP
t
RASP
t
RAD
t
CAS
t
RSH
t
CAS
t
AR
t
CP
t
PC
t
RCS
t
ASR
t
ASC
t
CAH
t
RAH
t
ASC
t
ASC
t
RAL
t
RWL
t
WCH
t
CAL
t
WCP
t
WCR
t
CWL
t
CWL
t
WCH
t
CWL
t
WP
t
WP
t
OEA
t
DS
t
DH
t
OEH
t
DHR
t
DZC
t
OEA
t
DH
t
DS
t
RAC
t
OED
t
DH
t
DS
t
AA
t
CAC
t
AA
t
OED
t
CAC
t
OEH
t
OEH
t
OED
t
OEA
t
OEZ
t
OEZ
t
OEZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB81V4800S-70 | CMOS 512K×8 BIT Fast Page Mode DRAM(CMOS 512K×8位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
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| MB8431 | 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access |
| MB8431-12 | 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access |
| MB8432-90LL | 2K x 8 Bits CMOS Dual-Port Static Random Access |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MB82101BBN | 制造商:MURATA 制造商全稱:Murata Manufacturing Co., Ltd. 功能描述:HIGH FREQUENCY CERAMIC CAPACITORS |
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