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參數(shù)資料
| 型號： | MB814405D-70 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 100萬× 4位超頁模式動態(tài)RAM的CMOS（100萬× 4位超級頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 13/29頁 |
| 文件大小： | 596K |
| 代理商： | MB814405D-70 |
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13
MB814405D-60/60L/-70/70L
Fig. 6 – EARLY WRITE CYCLE
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be
implemented in either of three ways – early write, delayed write, or read-modify-write. During all write cycles, timing
parameters t
RWL
, t
CWL
, t
RAL
and t
CAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ
pins are latched with the falling edge of CAS and written into memory.
“H” or “L”
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSH
t
RCD
t
CRP
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
HIGH-Z
ROW ADD
COLUMN ADD
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DH
t
DS
VALID DATA IN
t
RSH
t
AR
t
DHR
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MB814405D-7OL | 1M ×4BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M ×4 位超級頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814800-60 | CMOS 512K ×8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 512K ×8位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB814800-70 | CMOS 512K ×8 BIT FAST PAGE MODE DYNAMIC RAM(CMOS 512K ×8位快速頁面存取模式動態(tài)RAM) |
| MB81F643242C | 4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| MB81F643242C-10 | 4 X 512 K X 32 BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MB8146112 | 制造商:FUJITSU 功能描述:* |
| MB81461-12PSZ | 制造商:FUJITSU 功能描述:VRAM, FAST PAGE, 64KX4, 24 Pin, Plastic, ZIP |
| MB81461B-12 | 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUGITSU 功能描述:81461B-12 制造商:FUJITSU 功能描述:81461B-12 |
| MB81464-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:MOS 262,144 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY |
| MB81464-12P | 制造商:FUJI 功能描述: 制造商:Fuji Electric 功能描述: 制造商:FUJITSU 功能描述: 制造商:FUJITSU 功能描述:64K X 4 PAGE MODE DRAM, 120 ns, PDIP18 |
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