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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MB8117405B-50 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 4 M ×4 BITS Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4 M ×4 位快速頁(yè)面存取模式RAM) |
| 中文描述： | 4米× 4位快速頁(yè)面模式動(dòng)態(tài)RAM（的CMOS 4米× 4位快速頁(yè)面存取模式的RAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 588K |
| 代理商： | MB8117405B-50 |
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17
MB8117405B-50/-60
“H” or “L” level (excluding Address and DQ)
“H” or “L” level, “H”
→
“L” or “L”
→
“H” transition (Address and DQ)
DQ
(Input)
VALID DATA IN
COL
ADD
ROW
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
VALID
DATA
HIGH-Z
CAS
Fig. 8 – READ-WRITE/READ-MODIFY-WRITE-CYCLE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
RAS
WE
A
0
to A
10
DQ
(Output)
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
OE
t
RP
t
RWC
t
RAS
t
AR
t
CRP
t
RCD
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RWD
t
AWD
t
CWD
t
CWL
t
RWL
t
RCS
t
DZC
t
RAC
t
DS
t
WP
t
DH
t
OEH
t
OED
t
CAC
t
AA
t
ON
t
OH
t
OEA
t
DZO
t
OEZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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