- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377884 > MB81164442A-67L (Fujitsu Limited) CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MB81164442A-67L |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4×4M×16 BIT Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM)(CMOS 4×4M×16 位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 的CMOS 4 × 4米× 16位同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）（的CMOS 4 × 4米× 16位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 20/46頁 |
| 文件大小： | 642K |
| 代理商： | MB81164442A-67L |
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MB81164442A-125/-100/-84/-67/-125L/-100L/-84L/-67L
POWER-UP INITIALIZATION
The SDRAM internal condition after power-up will be undefined. It is required to follow the following Power On
Sequence to execute read or write operation.
1. Apply power and start clock. Attempt to maintain either NOP or DESL command at the input.
2. Maintain stable power, stable clock, and NOP condition for a minimum of 200
μ
s.
3. Precharge all banks by Precharge (PRE) or Precharge All command (PALL).
4. Assert minimum of 8 Auto-refresh command (REF).
5. Program the mode register by Mode Register Set command (MRS).
In addition, it is recommended DQM and CKE to track V
CC
to insure that output is High-Z state. The Mode Register
Set command (MRS) can be set before 8 Auto-refresh command (REF).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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