參數(shù)資料
型號(hào)： MB8116405A-70
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： CMOS 4M ×4 BIT Hyper Page Mode Dynamic RAM(CMOS 4M ×4 位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 的CMOS 4米× 4位超頁(yè)模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS（4米× 4位超級(jí)頁(yè)面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 13/28頁(yè)
文件大?。?/td> 536K
代理商： MB8116405A-70
13
MB8116405A-60/MB8116405A-70
Fig. 5 – EARLY WRITE CYCLE (OE = “H” or “L”)
RAS
A
0
to A
11
CAS
WE
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
“H” or “L”
DESCRIPTION
A write cycle is similar to a read cycle except WE is set to a Low state and OE is a “H” or “L” signal. A write cycle can be implemented
in either of three ways–early write, OE write (delayed write), or read-modify-write. During all write cycles, timing parameters t
RWL
, t
CWL
and t
RAL
must be satisfied. In the early write cycle shown above t
WCS
satisfied, data on the DQ pin is latched with the falling edge of CAS
and written into memory.
DQ
(Input)
DQ
(Output)
ROW
ADD
VALID
DATA IN
COLUMN
ADD
HIGH-Z
t
RC
t
RAS
t
CRP
t
CSH
t
RCD
t
RSH
t
RP
t
CAS
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
AR
t
WCR
t
WCS
t
WCH
t
DHR
t
DS
t
DH
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