參數(shù)資料
型號： MAT03-000C
廠商： ANALOG DEVICES INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 20 mA, 36 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 70 MIL X 60 MIL DIE-6
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： MAT03-000C
MAT03
ASD0012816 Rev. F | Page 4 of 5
Table III - Life Test Endpoint and Delta Parameter
(Product is tested in accordance with Table II with the following exceptions)
Post Burn In Limit Post Life Test Limit
Parameter
Symbol
Sub-
groups
Min
Max
Min
Max
Life
Test
Delta
Units
1
90
80
±40
Current Gain @ 1mA
hFE
2, 3
50
1
80
70
±36
Current Gain @ 100
Α
hFE
2, 3
40
1
70
60
±32
Current Gain @ 10
Α
hFE
2, 3
30
1
55
75
±20
Input Offset Current
IOS
2, 3
nA
5.0
Life Test/Burn-In Information
5.1
HTRB is not applicable for this drawing.
5.2
Burn-in is per MIL-STD-883 Method 1015 test condition A, B, or C.
5.3
Steady state life test is per MIL-STD-883 Method 1005.
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PDF描述
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MAT-03ARC/883 20 mA, 36 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MAT03EH 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
MAT03EHZ 功能描述:IC TRANS DUAL MATCHED PNP TO78-6 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402
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