參數(shù)資料
型號(hào): MA4S111
廠商: PANASONIC CORP
元件分類(lèi): 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述: 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI4-F1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商: MA4S111
2
MA4S111
SKF00067AED
IR Ta
Ct VR
IF(surge) tW
IF VF
IR VR
VF Ta
102
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
101
1
10
102
103
Forward voltage V
F (V)
Forward
current
I
F
(m
A
)
Ta
= 150°C
100
°C
25
°C
20°C
1
0
20
40
60
80
100
120
10
102
103
104
105
Reverse voltage V
R (V)
Reverse
current
I
R
(n
A
)
Ta
= 150°C
100
°C
25
°C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
40
0
40
80
120
160
200
Ambient temperature T
a (°C)
Forward
voltage
V
F
(V
)
IF
= 100 mA
10 mA
3 mA
0.1
1
10
100
0.3
3
30
300
1 000
0.3
3
30
10
1
0.1
Pulse width t
W (ms)
Forward
surge
current
I
F(surge)
(A
)
tW
Non repetitive
IF(surge)
Ta
= 25°C
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
20406080
100
120
Reverse voltage V
R (V)
Terminal
capacitance
C
t
(pF
)
f
= 1 MHz
Ta
= 25°C
1
40
0
40
80
120
160
200
10
102
103
104
105
Ambient temperature T
a (°C)
Reverse
current
I
R
(n
A
)
VR
= 75 V
35 V
6 V
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA4SD05X SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
MA4SPS552 200 V, SILICON, PIN DIODE
MA4ST1320-1146T 55 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MA4ST2600-1146T 113.3 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MA4ST2500-1146T 86.4 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
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參數(shù)描述
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