參數(shù)資料
型號(hào): MA4S111
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述: 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: ROHS COMPLIANT, SSMINI4-F1, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 236K
代理商: MA4S111
Switching Diodes
1
Publication date: July 2004
SKF00067AED
MA4S111
Silicon epitaxial planar type
For switching circuits
■ Features
Allowing high-density mounting
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance C
t
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
80
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
80
V
Forward current
Single
IF
100
mA
Double
75
Repetitive peak
Single
IFRM
225
mA
forward current
Double
170
Junction temperature
Tj
150
°C
Operating ambient temperature
Topr
30 to +85
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF
IF = 100 mA
0.95
1.2
V
Reverse voltage
VR
IR = 100 A80
V
Reverse current
IR
VR
= 75 V
100
nA
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
0.6
2
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = 10 mA, VR = 6 V
3
ns
Irr = 0.1 IR , RL = 100
■ Electrical Characteristics T
a = 25°C ± 3°C
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 10 mA
V
R = 6 V
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 0.1 IR
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
Internal Connection
4
1
3
2
1: Anode 1
2: Anode 2
3: Cathode 2
4: Cathode 1
SSMini4-F1 Package
Unit: mm
Marking Symbol: M1B
1.6±0.05
5
1.0±0.05
1.15
±
0.05
0.01
±
0.01
1.6
±
0.1
0.25±0.05
0.55±0.1
0.10±0.03
12
5
(0.225)
(0.15)
43
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring method for diodes.
2. Absolute frequency of input and output is 100 MHz.
3. *: trr measurement circuit
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA4SD05X SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
MA4SPS552 200 V, SILICON, PIN DIODE
MA4ST1320-1146T 55 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MA4ST2600-1146T 113.3 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MA4ST2500-1146T 86.4 pF, 12 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
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參數(shù)描述
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