參數(shù)資料
型號： M5M4V64S30ATP-12
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
中文描述： 64M號（4銀行甲2097152字× 8位）同步DRAM
文件頁數(shù)： 34/51頁
文件大小： 1161K
代理商： M5M4V64S30ATP-12
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
A0-9
A10
DQM
A11
Mar98
SDRAM (Rev.1.3)
M5M4V64S20ATP-8A,-8L,-8, -10L, -10
64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
Burst Read (single bank) @BL=4 CL=3
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
0
Q0
Q0
Q0
Q0
X
X
X
0
Y
0
Q0
Q0
ACT#0
READ#0
PRE#0
ACT#0
READ#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
tRAS
tRP
tRC
tRCD
CL=3
READ to PRE
≥
BL allows full data out
DQM read latency =2
CLK
34
Italic parameter
indicates minimum case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M5M4V64S30ATP-8 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
M5M4V64S30ATP-8A Octal D-Type Edge-Triggered Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -40 to 85
M5M4V64S30ATP-8L Octal D-Type Edge-Triggered Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -40 to 85
M5M4V64S40ATP-10 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S40ATP-10L 64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M5M4V64S30ATP-8 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S30ATP-8A 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S30ATP-8L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S40ATP-10 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
M5M4V64S40ATP-10L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:64M (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT) Synchronous DRAM
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*