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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR032A |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | M59DR032A |
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M59DR032A, M59DR032B
Table 23. Capacitance (1)
(TA = 25 °C, f = 1 MHz)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
6pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0V
12
pF
Figure 4. AC Testing Load Circuit
AI02316
VDDQ / 2
OUT
CL = 30pF
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Table 24. AC Measurement Conditions
Input Rise and Fall Times
≤ 4ns
Input Pulse Voltages
0 to VDDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
VDDQ/2
Figure 3. Testing Input/Output Waveforms
AI02315
VDDQ
0V
VDDQ/2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR032A100N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB1T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR032A100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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