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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M59DR032A100N6T |
| 廠(chǎng)商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | M59DR032A100N6T |
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M59DR032A, M59DR032B
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Figure 8. Write AC Waveforms, E Controlled
Note: Address are latched on the falling edge of E, Data is latched on the rising edge of E.
AI02540
E
G
W
A0-A20
DQ0-DQ15
VALID
VDD
tVDHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEH
tGHEL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR032A100ZB1T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120N1T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59MR032-GCT | 32 Mbit 2Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
| M5L15TGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 2.5 MHz - 55 MHz, CMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR032A100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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