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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW128A150ZA6T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 150 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/65頁(yè) |
| 文件大小： | 932K |
| 代理商： | M58LW128A150ZA6T |
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Table 16. DC Characteristics
Note: 1. Biasing RP pin to VHH is allowed for a maximum cumulative period of 80 hours.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
A
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤VDDQ
±5
A
IDD
Supply Current (Random Read)
E = VIL, G = VIH, fadd = 6MHz
30
mA
IDDB
Supply Current (Burst Read)
E = VIL, G = VIH, fclock = 50MHz
50
mA
IDD1
Supply Current (Standby)
E = VIH, RP = VIH
120
A
IDD2
Supply Current (Reset/Power-Down)
RP = VIL
120
A
IDD3
Supply Current (Program or Erase,
Set Protect Bit, Erase Protect Bit)
Program or Erase operation in
progress
50
mA
IDD4
Supply Current
(Erase/Program Suspend)
E = VIH
50
mA
VIL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
VDDQ –0.8
VDDQ + 0.5
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 100A
0.1
V
VOH
Output High Voltage
IOH = –100A
VDDQ –0.1
V
VHH
(1)
RP Hardware Block Unprotect
Voltage
Block Erase in progress,
Write to Buffer and Program
8.5
9.5
V
IHH
RP Hardware Block Unprotect
Current
RP = VHH
1
A
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
2.2
V
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