參數(shù)資料
型號： M58LW064C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位（4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 36/53頁
文件大?。?/td> 319K
代理商： M58LW064C
M58LW064A, M58LW064B
36/53
Table 26. Asynchronous Write and Latch Enable Controlled Write
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C, V
DD
= 2.7V to 3.6V, V
DD
= 1.8V to V
DD
)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
t
AVLH
Address Validto Latch Enable High
10
ns
t
AVWH
Address Validto Write Enable High
E = V
IL
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
3
ns
t
LLLH
Latch Enable low to Latch Enable High
10
ns
t
LLWH
latch Enable Low to Write Enable High
50
ns
t
QVRH
Output Valid to Reset/Power Down VDD
0
ns
t
QVVPL
Output Valid to Program/Erase Enable Low
0
ns
t
RHHWH
Reset/Power Down VHH to Write Enable High
0
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
10
ns
t
WHBL
Write Enable High to Read/Busy low
90
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
10
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
70
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LW064C110N1T 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory
M58LW064BZA 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064A150NH6T 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064B150NH6T 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064BNH 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
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參數(shù)描述
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