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參數資料
| 型號： | M58LW064C110ZA1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4Mb的x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 36/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | M58LW064C110ZA1T |
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M58LW064A, M58LW064B
36/53
Table 26. Asynchronous Write and Latch Enable Controlled Write
(T
A
= 0 to 70
°
C, –40 to 85
°
C, V
DD
= 2.7V to 3.6V, V
DD
= 1.8V to V
DD
)
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
t
AVLH
Address Validto Latch Enable High
10
ns
t
AVWH
Address Validto Write Enable High
E = V
IL
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
0
ns
t
LHAX
Latch Enable High to Address Transition
3
ns
t
LLLH
Latch Enable low to Latch Enable High
10
ns
t
LLWH
latch Enable Low to Write Enable High
50
ns
t
QVRH
Output Valid to Reset/Power Down VDD
0
ns
t
QVVPL
Output Valid to Program/Erase Enable Low
0
ns
t
RHHWH
Reset/Power Down VHH to Write Enable High
0
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
10
ns
t
WHBL
Write Enable High to Read/Busy low
90
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
10
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
0
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
70
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064A150T1T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150T1T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150T6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064B150T6T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150ZA1T | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M58LW064C110ZA6 | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064C110ZA6T | 功能描述:閃存 8Mx8 or 4Mx16 110ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW064D | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
| M58LW064D110N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
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