參數(shù)資料
型號： M58LW064BNH
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
中文描述： 64兆位x16和x16/x32，塊擦除低壓閃存
文件頁數(shù)： 27/53頁
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代理商： M58LW064BNH
27/53
M58LW064A, M58LW064B
Figure 8. AC Testing Load Circuit
AI03229
1.3V
OUT
CL= 30pF
CLincludes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
Figure 7. AC Testing Input Output Waveform
Note: V
DD
= V
DDQ
.
AI00610
VDDQ
0V
VDDQ/2
Table 20. AC Measurement Conditions
Clock Rise and Fall Times
≤
3ns
Input Rise and Fall Times
≤
4ns
Input Pulses Voltages
0V to V
DDQ
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
DDQ
/2
Table 21. Capacitance
(T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
8
12
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58LW064BNF 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
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