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參數(shù)資料
| 型號： | M58LW064A150NH1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| 中文描述： | 64兆位x16和x16/x32，塊擦除低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 319K |
| 代理商： | M58LW064A150NH1T |
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M58LW064A, M58LW064B
Figure 16. Synchronous Burst Read - Burst Address Advance
AI03697
K
(1) Valid clock edge ’9’ is valid and outputs
Q0.
(2) B goes low before valid clock edge ’10’ and output increments to
Q1.
(3) B goes high before valid clock edge ’12’ and output remainsQ1.
14
13
12
11
10
9
OUTPUTS
Q0
Q1
(1)
tBLKH
tBHKH
(2)
(3)
B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW064C110ZA6T | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064C110N6T | 64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1 | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
| M58LW064D110N1E | 64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW064A150NH6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150T1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150T6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
| M58LW064A150ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories |
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