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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58LW032C90ZA1 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，統(tǒng)一座，突發(fā)3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 30/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 845K |
| 代理商： | M58LW032C90ZA1 |
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M58LW032C
30/61
DC AND AC PARAMETERS
This section summarizes the operating and mea-
surement conditions, and the DC and AC charac-
teristics of the device. The parameters in the DC
and AC characteristics Tables that follow, are de-
rived from tests performed under the Measure-
ment Conditions summarized in Table 12,
Operating and AC Measurement Conditions. De-
signers should check that the operating conditions
in their circuit match the measurement conditions
when relying on the quoted parameters.
Table 12. Operating and AC Measurement Conditions
Figure 9. AC Measurement Input Output
Waveform
Figure 10. AC Measurement Load Circuit
Table 13. Capacitance
Note: 1. T
A
= 25°C, f = 1 MHz
2. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
M58LW032C
Units
90, 110
Min
Max
Supply Voltage (V
DD
)
2.7
3.6
V
Input/Output Supply Voltage (V
DDQ
)
1.8
V
DD
V
Ambient Temperature (T
A
)
Grade 1
0
70
°C
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
pF
Clock Rise and Fall Times
3
ns
Input Rise and Fall Times
4
ns
Input Pulses Voltages
0 to V
DDQ
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
0.5 V
DDQ
V
AI00610
VDDQ
0V
0.5 VDDQ
AI03459
1.3V
DQS
CL
CL includes JIG capacitance
3.3k
1N914
DEVICE
UNDER
TEST
0.1μF
VDD
VDDQ
0.1μF
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0V
6
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0V
8
12
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M58LW032C90ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90ZA1F | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90ZA1E | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90N6T | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90N6F | 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58LW032C90ZA1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90ZA1F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90ZA1T | 功能描述:閃存 4Mx8 or 2Mx16 90ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M58LW032C90ZA6 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
| M58LW032C90ZA6E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory |
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