- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377830 > M52D128168A-7.5BG (ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC) 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M52D128168A-7.5BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 11/47頁 |
| 文件大小： | 1209K |
| 代理商： | M52D128168A-7.5BG |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁當前第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁
ES MT
Preliminary
M52D128168A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.0
Publication Date
:
May. 2007
11/47
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 4)
Initial Adrress
A1
A0
Sequential
Interleave
0
0
0
1
2
3
0
1
2
3
0
1
1
2
3
0
1
0
3
2
1
0
2
3
0
1
2
3
0
1
1
1
3
0
1
2
3
2
1
0
BURST SEQUENCE (BURST LENGTH = 8)
Initial
A2
A1
A0
Sequential
Interleave
0
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
0
1
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
3
2
5
4
7
6
0
1
0
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
0
1
6
7
4
5
0
1
1
3
4
5
6
7
0
1
2
3
2
1
0
7
6
5
4
1
0
0
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
1
0
1
5
6
7
0
1
2
3
4
5
4
7
6
1
0
3
2
1
1
0
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
4
5
2
3
0
1
1
1
1
7
0
1
2
3
4
5
6
7
6
5
4
3
2
1
0
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M52D128168A-7.5TG | 2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10BG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D16161A-10TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M52D32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M52D128168A-7BG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D128168A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_09 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
| M52D16161A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。