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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M50FLW080BN5TP |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆位（13 × 64KB之座3 × 16 × 4KB的部門），3V電源固件集線器/低引腳數(shù)快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 38/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 341K |
| 代理商： | M50FLW080BN5TP |
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Program and Erase times
M50FLW080A, M50FLW080B
38/64
7
Program and Erase times
The Program and Erase times are shown in
Table 18
.
Table 18.
Program and Erase times
Parameter
Interface
Test Condition
Min
Typ
(1)
1.
T
A
= 25°C, V
CC
= 3.3V
Time to program two Bytes.
Max
Unit
Byte Program
10
200
μ
s
Double Byte Program
FWH
V
PP
= 12V ± 5%
10
(2)
2.
200
μs
Quadruple Byte Program
A/A Multiplexed
FWH
V
PP
= 12V ± 5%
10
(3)
3.
Time to program four Bytes.
200
μs
Block Program
V
PP
= 12V ± 5%
0.1
(4)
4.
Time obtained executing the Quadruple Byte Program command.
5
s
V
PP
= V
CC
0.4
5
Sector Erase (4 KBytes)
(5)
5.
Sampled only, not 100% tested.
V
PP
= 12V ± 5%
0.4
4
s
V
PP
= V
CC
0.5
5
Block Erase (64 KBytes)
V
PP
= 12V ± 5%
0.75
8
s
V
PP
= V
CC
1
10
Chip Erase
A/A Multiplexed
V
PP
= 12V ± 5%
10
s
Program/Erase Suspend to
Program pause
(5)
5
μ
s
Program/Erase Suspend to Block
Erase/Sector Erase pause
(5)
30
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M50FLW080BNB5P | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5TP | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080AK5P | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080AK5TP | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080AN5P | 8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M50FLW080BNB5 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5G | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| M50FLW080BNB5P | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (13 x 64KByte Blocks + 3 x 16 x 4KByte Sectors), 3V Supply Firmware Hub / Low Pin Count Flash Memory |
| M50FLW080BNB5TG | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 33MHZ 32TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
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