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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M36W832TEZA |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，引導(dǎo)塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內(nèi)存產(chǎn)品多 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/64頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 897K |
| 代理商： | M36W832TEZA |
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M36W832TE, M36W832BE
Figure 21. SRAM Low V
DDS
Data Retention AC Waveforms, E1S Controlled
Figure 22. SRAM Low V
DDS
Data Retention AC Waveforms, E2S Controlled
Table 22. SRAM Low V
DDS
Data Retention Characteristic
Symbol
Parameter
Note: 1. Sampled only. Not 100% tested.
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
DDDR
Supply Current (Data Retention)
V
DDS
= 1.5V, E1S
≥
V
DDS
– 0.3V,
V
IN
≥
V
DDS
– 0.3V or V
IN
≤
0.3V
No input may exceed V
DDS
+ 0.3V
4
20
μA
V
DR
Supply Voltage (Data Retention)
1.5
3.3
V
t
CDR
Chip Disable to Power Down
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
70
ns
AI07970
E1S
tCDR
V
DDS
tR
DATA RETENTION MODE
V
DDS (min)
V
DDS (min)
VDR > 1.5V
E1S > V
-
0.3V and E2S < 0.3V
or E2S > V
DDS
-
0.3V
AI07982
E2S
tCDR
V
DDS
tR
DATA RETENTION MODE
V
DDS (min)
V
DDS (min)
VDR > 1.5V
E2S < 0.3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36W832Be70ZA1S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be70ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE-ZAT | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be70ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be70ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M36W864BE-70ZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64M FLASH, 8M SRAM, 3V, BOT, BGA, IND - Trays |
| M36W864TE-70ZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64M FLASH, 8M SRAM, 3V, TOP, BGA, IND - Trays |
| M36WR864TH70ZA6T | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36WT864 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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