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參數(shù)資料
| 型號： | M36W832TEZA |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，引導(dǎo)塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內(nèi)存產(chǎn)品多 |
| 文件頁數(shù)： | 30/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 897K |
| 代理商： | M36W832TEZA |
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M36W832TE, M36W832BE
30/64
Figure 10. Flash Read Mode AC Waveforms
Table 16. Flash Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. GF may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of EF without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
Flash Device
Unit
70
85
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
85
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
Max
70
85
ns
t
AXQX
(1)
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
ns
t
EHQX
(1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
70
85
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Min
0
0
ns
t
GHQX
(1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
20
20
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
0
ns
DQ0-DQ15
AI90168b
A0-A20
EF
GF
VALID
tAXQX
tAVAV
VALID
tAVQV
tELQV
tELQX
tGLQV
tGLQX
ADDR. VALID
CHIP ENABLE
OUTPUTS
ENABLED
DATA VALID
STANDBY
tGHQX
tGHQZ
tEHQX
tEHQZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36W832Be70ZA1S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be70ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE-ZAT | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be70ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be70ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36W832TE-ZAT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W864BE-70ZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64M FLASH, 8M SRAM, 3V, BOT, BGA, IND - Trays |
| M36W864TE-70ZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64M FLASH, 8M SRAM, 3V, TOP, BGA, IND - Trays |
| M36WR864TH70ZA6T | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36WT864 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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