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參數資料
| 型號： | M36W832Be70ZA6S |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，引導塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內存產品多 |
| 文件頁數： | 1/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 897K |
| 代理商： | M36W832BE70ZA6S |
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May 2003
M36W832TE
M36W832BE
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory
and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product
FEATURES SUMMARY
I
SUPPLY VOLTAGE
– V
DDF
= 2.7V to 3.3V
– V
DDS
= V
DDQF
= 2.7V to 3.3V
– V
PPF
= 12V for Fast Program (optional)
I
ACCESS TIMES: 70ns and 85ns
I
LOW POWER CONSUMPTION
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh
– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh
FLASH MEMORY
I
32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK
– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or
Bottom Location)
I
PROGRAMMING TIME
– 10μs typical
– Double Word Programming Option
– Quadruple Word Programming Option
I
BLOCK LOCKING
– All blocks locked at Power up
– Any combination of blocks can be locked
– WPF for Block Lock-Down
I
AUTOMATIC STANDBY MODE
I
PROGRAM and ERASE SUSPEND
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
COMMON FLASH INTERFACE
I
SECURITY
– 128 bit user programmable OTP cells
– 64 bit unique device identifier
Figure 1. Packages
SRAM
I
8 Mbit (512Kb x 16)
I
ACCESS TIME: 70ns
I
LOW V
DDS
DATA RETENTION: 1.5V
I
POWER DOWN FEATURES USING TWO
CHIP ENABLE INPUTS
FBGA
Stacked LFBGA66 (ZA)
12 x 8mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36W832Be70ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be85ZA1T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be85ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Be85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BEZA | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M36W832BE70ZA6T | 功能描述:閃存 32M (2Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36W832BE85ZA1S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832BE85ZA6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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