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參數(shù)資料
| 型號： | M36W832Te70ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，引導(dǎo)塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內(nèi)存產(chǎn)品多 |
| 文件頁數(shù)： | 41/64頁 |
| 文件大小： | 897K |
| 代理商： | M36W832TE70ZA6T |
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M36W832TE, M36W832BE
Figure 21. SRAM Low V
DDS
Data Retention AC Waveforms, E1S Controlled
Figure 22. SRAM Low V
DDS
Data Retention AC Waveforms, E2S Controlled
Table 22. SRAM Low V
DDS
Data Retention Characteristic
Symbol
Parameter
Note: 1. Sampled only. Not 100% tested.
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
DDDR
Supply Current (Data Retention)
V
DDS
= 1.5V, E1S
≥
V
DDS
– 0.3V,
V
IN
≥
V
DDS
– 0.3V or V
IN
≤
0.3V
No input may exceed V
DDS
+ 0.3V
4
20
μA
V
DR
Supply Voltage (Data Retention)
1.5
3.3
V
t
CDR
Chip Disable to Power Down
0
ns
t
R
Operation Recovery Time
70
ns
AI07970
E1S
tCDR
V
DDS
tR
DATA RETENTION MODE
V
DDS (min)
V
DDS (min)
VDR > 1.5V
E1S > V
-
0.3V and E2S < 0.3V
or E2S > V
DDS
-
0.3V
AI07982
E2S
tCDR
V
DDS
tR
DATA RETENTION MODE
V
DDS (min)
V
DDS (min)
VDR > 1.5V
E2S < 0.3V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36W832Te85ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M36W832TE85ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE85ZA6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE85ZA6T | 功能描述:組合存儲器 32M (2Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| M36W832TEZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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