參數(shù)資料
型號(hào)： M312L5720BZ0-CB3
元件分類： DRAM
英文描述： 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
封裝： ROHS COMPLIANT, DIMM-184
文件頁(yè)數(shù)： 10/30頁(yè)
文件大?。?/td> 623K
代理商： M312L5720BZ0-CB3
DDR SDRAM
512MB, 1GB, 2GB Registered DIMM
Rev. 1.0 June 2005
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
CC (DDR400@CL=3)
B3 (DDR333@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
5,680
4,030
mA
IDD1
6,040
4,480
mA
IDD2P
810
680
mA
IDD2F
2,080
1,960
mA
IDD2Q
1,530
1,400
mA
IDD3P
2,610
1,580
mA
IDD3N
4,420
2,680
mA
IDD4R
6,310
4,750
mA
IDD4W
7,030
5,200
mA
IDD5
7,480
6,280
mA
IDD6
Normal
810
680
mA
Low power
740
610
mA
Optional
IDD7A
10,450
8,980
mA
(VDD=2.7V, T = 10°C)
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.
Symbol
CC (DDR400@CL=3)
B3 (DDR333@CL=2.5)
Unit
Notes
IDD0
3,720
3,000
mA
IDD1
4,080
3,450
mA
IDD2P
470
mA
IDD2F
1,290
mA
IDD2Q
830
mA
IDD3P
1,370
920
mA
IDD3N
2,460
1,650
mA
IDD4R
4,350
3,720
mA
IDD4W
5,070
4,170
mA
IDD5
5,520
5,250
mA
IDD6
Normal
470
670
mA
Low power
430
mA
Optional
IDD7A
8,490
7,950
mA
9.8 M312L5720BG(Z)0 [ (128M x 4) * 36, 2GB Module ]
9.7 M312L2920BG(Z)0 [ (128M x 4) * 18 , 1GB Module ]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M312L5720DZ3-CB3 256M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA184
M32002AMMJFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT
M32016BGPJFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT
M32026AUMJFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, CMOS OUTPUT
M32012BGPJFREQ VCXO, CLOCK, 150 MHz - 1400 MHz, PECL OUTPUT
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參數(shù)描述
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