- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359054 > M30LW128D110N1T (意法半導(dǎo)體) 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M30LW128D110N1T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 128兆位（兩個64兆比特，x8/x16，統(tǒng)一座，快閃記憶體）3V電源，多記憶體產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 33/57頁 |
| 文件大小： | 860K |
| 代理商： | M30LW128D110N1T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁當(dāng)前第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
33/57
M30LW128D
Figure 13. Write AC Waveform, Write Enable Controlled
Note: 1. Refer to Table 3 for details of how the device is enabled.
2. Not available with the LFBGA88 package.
Table 18. Write AC Characteristics, Write Enable Controlled
Symbol
Parameter
Test Condition
M30LW128D
Unit
110
t
AVWH
Address Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
DVWH
Data Input Valid to Write Enable High
E = V
IL
Min
50
ns
t
ELWL
Chip Enable Low to Write Enable Low
Min
0
ns
t
VPHWH
Program/Erase Enable High to Write Enable High
Min
0
ns
t
WHAX
Write Enable High to Address Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHBL
Write Enable High to Status/(Ready/Busy) low
Max
500
ns
t
WHDX
Write Enable High to Input Transition
E = V
IL
Min
0
ns
t
WHEH
Write Enable High to Chip Enable High
Min
0
ns
t
GHWL
Output Enable High to Write Enable Low
Min
20
ns
t
WHGL
Write Enable High to Output Enable Low
Min
35
ns
t
WHWL
Write Enable High to Write Enable Low
Min
30
ns
t
WLWH
Write Enable Low to Write Enable High
E = V
IL
Min
70
ns
AI07511
DQ0-DQ15
STS(2)
(Ready/Busy mode)
W
A0-A23
E
(1)
G
INPUT
VALID
tWHEH
tAVWH
tWLWH
tELWL
VPEN
tWHAX
tWHWL
tWHDX
tDVWH
tVPHWH
tWHGL
tGHWL
tWHBL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M30LW128D110N6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZE1T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZE6T | 128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M30LW128D110N6 | 功能描述:閃存 Two 8Mx8 or 4Mx16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M30LW128D110N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit (two 64Mbit, x8/x16, Uniform Block, Flash Memories) 3V Supply, Multiple Memory Product |
| M30LW128D110ZA6 | 功能描述:閃存 Two 8Mx8 or 4Mx16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M30LW128D-110ZA6 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。