參數(shù)資料
型號： M306N0FGTFP
元件分類： 圓形連接器
英文描述： Circular Connector; No. of Contacts:19; Series:; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Solder; Connector Shell Size:14; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Straight Plug; Insert Arrangement:14-19
中文描述： 60瓦，225至400 MHz受控的“Q”寬帶射頻功率晶體管NPN硅
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： M306N0FGTFP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS* — continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted.)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc)
h
FE
10
—
100
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
(V
CB
= 28 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
ob
—
67
75
pF
BROADBAND FUNCTIONAL TESTS
(Figure 6)
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(V
CC
= 28 Vdc, P
out
= 60 W, f = 225–400 MHz)
G
PE
7.8
8.5
—
dB
Electrical Ruggedness
(P
out
= 60 W, V
CC
= 28 Vdc, f = 400 MHz, VSWR 30:1
all phase angles)
ψ
No Degradation in Output Power
—
NARROW BAND FUNCTIONAL TESTS
(Figure 1)
Common–Emitter Amplifier Power Gain
(V
CC
= 28 Vdc, P
out
= 60 W, f = 400 MHz)
G
PE
7.8
10
—
dB
Collector Efficiency
(V
CC
= 28 Vdc, P
out
= 60 W, f = 400 MHz)
η
55
—
—
%
* Indicates JEDEC Registered Data.
Figure 1. 400 MHz Test Amplifier (Narrow Band)
C1
C5
C9 — 1000 pF
C10 — 5.0
μ
F
R1 — 15
L1, L2 — 3/16
″
x 1
″
Copper Strap
L3 — 1.5
μ
H
L4 — 10
μ
H
L5 — 1 Turn #16 AWG, 5/16
″
I.D.
C4, C11 — 4.0–40 pF
C8 — 33 pF
('
%
)
)
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M306N0MCT PTSE 19C 19#20 PIN PLUG 023
M30L0R7000T0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000T0ZAQ 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000xx 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
M30L0R7000B0 128 Mbit (8Mb x16, Multiple Bank, Multi-Level, Burst), 1.8V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M306N0MC 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M306N0MCT 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:60 W, 225 to 400 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
M306N0MCT-XXXFP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M306N3T-EPB 功能描述:EMULATOR PERSONALITY KIT M16C/6N RoHS:否 類別:編程器，開發(fā)系統(tǒng) >> 配件 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program RoHS指令信息:IButton RoHS Compliance Plan 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 附件類型:USB 至 1-Wire? RJ11 適配器 適用于相關(guān)產(chǎn)品:1-Wire? 設(shè)備 產(chǎn)品目錄頁面:1429 (CN2011-ZH PDF)
M306N4FCFP 功能描述:MCU 5V 128K 100-QFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:M16C™ M16C/60/6N4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*