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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2S56D30AKT-75A |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 35/40頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 768K |
| 代理商： | M2S56D30AKT-75A |
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35
MITSUBISHI ELECTRIC
Mar. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM
(Rev.1.44)
M2S56D20/ 30/ 40ATP -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
M2S56D20/ 30/ 40AKT -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
Burst write operation can be interrupted by precharge of the same or all bank. Random column access is
allowed. tWR is referenced from the first positive CLK edge after the last data input.
[Write interrupted by Precharge]
Write Interrupted by Precharge (BL=8, CL=2.5)
Command
A0-9,11
A10
BA0,1
DQ
WRITE
Yi
0
00
PRE
00
Dai0
Dai1
QS
DM
tWR
/CLK
CLK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2S56D30AKT-75AL | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30AKT-75L | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D40ATP-75A | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D40ATP-75AL | 256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2S56D30AKT-75AL | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30AKT-75L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S56D30ATP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM |
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