參數(shù)資料
型號(hào)： M2S56D30AKT-75A
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
中文描述： 256M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 32/40頁(yè)
文件大?。?/td> 768K
代理商： M2S56D30AKT-75A
32
MITSUBISHI ELECTRIC
Mar. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM
(Rev.1.44)
M2S56D20/ 30/ 40ATP -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
M2S56D20/ 30/ 40AKT -75AL, -75A, -75L, -75, -10L, -10
256M Double Data Rate Synchronous DRAM
Burst read operation can be interrupted by a burst stop command(TERM). READ to TERM interval is 1 CLK
minimum. The time between TERM command to output disable is equal to the CAS Latency. As a result, READ
to TERM interval determines valid data length to be outputted. The figure below shows example of BL=8.
[Read Interrupted by Burst Stop]
Read Interrupted by TERM (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
CL=2.0
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0 Q1
Q2
Q3
Q0 Q1
DQ
Q0 Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2S56D30AKT-75AL 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30AKT-75L 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30ATP 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D40ATP-75A 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D40ATP-75AL 256M Double Data Rate Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M2S56D30AKT-75AL 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30AKT-75L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30ATP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30ATP-10 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
M2S56D30ATP-10L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Double Data Rate Synchronous DRAM
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