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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2S12D30TP |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 512M雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 30/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 754K |
| 代理商： | M2S12D30TP |
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MITSUBISHI
ELECTRIC
-30-
M2S12D20/ 30TP -75, -75L, -10, -10L
512M Double Data Rate Synchronous DRAM
Feb. '02
MITSUBISHI LSIs
DDR SDRAM (Rev.1.1)
MITSUBISHI ELECTRIC
Burst read operation can be interrupted by a burst stop command(TERM). READ to TERM interval
is 1 CLK minimum. The time between TERM command to output disable equal to the CAS Latency.
As a result, READ to TERM interval determines valid data length to be output. The figure below
shows the example of BL=8.
[Read Interrupted by Burst Stop]
Read Interrupted by TERM (BL=8)
CL=2.5
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
/CLK
CLK
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
CL=2.0
Command
DQS
Command
DQ
Command
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q0
Q1
DQ
Q0
Q1
Q2
Q3
Q4
Q5
TERM
READ
READ
TERM
READ
TERM
DQS
DQS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2S12D30TP-75L | 512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D20TP-75 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| M2V12D20TP-75 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| M2S12D30TP-75 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
| M2V12D30TP-75 | 128 x 64 pixel format, LED Backlight available |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2S12D30TP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP-10L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP-75 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S12D30TP-75L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:512M Double Data Rate Synchronous DRAM |
| M2S150-1FC1152I | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SMARTFUSION2 SOC FPGA - Trays |
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