參數(shù)資料
型號(hào)： M29W200BT90N6E
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
中文描述： 2兆位（256Kb的x8或128KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）低電壓?jiǎn)坞娫撮W存
文件頁(yè)數(shù)： 1/22頁(yè)
文件大小： 175K
代理商： M29W200BT90N6E
1/22
September 2005
M29W200BT
M29W200BB
2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
■
SINGLE 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS
■
ACCESS TIME: 55ns
■
PROGRAMMING TIME
– 10μs per Byte/Word typical
■
7 MEMORY BLOCKS
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)
– 2 Parameter and 4 Main Blocks
■
PROGRAM/ERASE CONTROLLER
– Embedded Byte/Word Program algorithm
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm
– Status Register Polling and Toggle Bits
– Ready/Busy Output Pin
■
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
■
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
■
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
■
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
■
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
■
20 YEARS DATA RETENTION
– Defectivity below 1 ppm/year
■
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29W200BT: 0051h
– Bottom Device Code: M29W200BB 0057h
■
ECOPACK
PACKAGES AVAILABLE
44
1
TSOP48 (N)
12 x 20mm
SO44 (M)
Figure 1. Logic Diagram
AI02948
17
A0-A16
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W200BT
M29W200BB
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W200BT90N6F 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W400T 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4M位閃速存儲(chǔ)器)
M29W800AB 8Mbit(1Mbx8 or 512Kbx16, Block Erase) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb閃速存儲(chǔ)器)
M29W800B 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低壓閃速存儲(chǔ)器)
M29W800DB90ZE1F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W256G7AN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays
M29W256GH70N3E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP
M29W256GH70N6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
M29W256GH70N6F 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
M29W256GH70ZA6E 功能描述:IC FLASH 256MBIT 70NS 64TBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR)
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