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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29W800B |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8Mbit（1兆x8或512KB的x16插槽，引導(dǎo)塊）低電壓單電源閃存（8兆低壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 229K |
| 代理商： | M29W800B |
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AI02178
19
A0-A18
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W800T
M29W800B
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
Figure 1. LogicDiagram
M29W800T
M29W800B
8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
2.7V to 3.6VSUPPLYVOLTAGEfor
PROGRAM, ERASEand READ OPERATIONS
FASTACCESS TIME: 90ns
FASTPROGRAMMING TIME
– 10
μ
s by Byte / 20
μ
s byWord typical
PROGRAM/ERASECONTROLLER (P/E.C.)
– ProgramByte-by-Byteor Word-by-Word
– StatusRegister bits and Ready/BusyOutput
MEMORYBLOCKS
– BootBlock (Top or Bottomlocation)
– Parameterand Main blocks
BLOCK, MULTI-BLOCKand CHIPERASE
MULTI BLOCKPROTECTION/TEMPORARY
UNPROTECTION MODES
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program anotherBlockduring
Erase Suspend
LOW POWER CONSUMPTION
– Stand-byand AutomaticStand-by
100,000 PROGRAM/ERASECYCLES per
BLOCK
20 YEARSDATARETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– ManufacturerCode: 0020h
– Device Code, M29W800T:00D7h
– Device Code, M29W800B:005Bh
DESCRIPTION
The M29W800 is a non-volatilememory that may
be erasedelectricallyat theblock or chipleveland
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-
by-Wordbasisusingonlya single2.7Vto3.6VV
CC
supply. For Program and Erase operations the
necessary high voltages are generated internally.
The device can also be programmed in standard
programmers.
The arraymatrix organisationallows each blockto
be erased and reprogrammed without affecting
otherblocks. Blocks can be protectedagainst pro-
graming and erase on programming equipment,
and temporarily unprotected to make changes in
the application. Each block can be programmed
and erased over 100,000 cycles.
October 1998
1/33
44
1
SO44 (M)
TSOP48 (N)
12 x 20 mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W800DB90ZE1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45N1F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45N1T | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45N6E | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W800DB45N6F | 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W800DB45N6E | 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB45N6F | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB45ZE6E | 功能描述:閃存 8 MBIT (1MB) 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB45ZE6F | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W800DB45ZE6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 8MBIT 45NS 48TFBGA |
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