參數(shù)資料
型號(hào)： M29W400T
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 4Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(4M位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 的4Mb（512KB的x8或256Kb的x16插槽，引導(dǎo)塊）低電壓?jiǎn)坞娫撮W存（4分位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： M29W400T
B29W400/810
Completedata availableon
DATA-on-DISCCD-ROM
orat
www.st.com
1/4
M29W400T
M29W400B
4 Mbit (512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block)
Low Voltage Single Supply Flash Memory
DATABRIEFING
2.7V to 3.6VSUPPLYVOLTAGEfor
PROGRAM, ERASEand READ OPERATIONS
FASTACCESS TIME: 90ns
FASTPROGRAMMING TIME
– 10
μ
s by Byte / 16
μ
s byWord typical
PROGRAM/ERASECONTROLLER (P/E.C.)
– ProgramByte-by-Byteor Word-by-Word
– StatusRegister bits and Ready/BusyOutput
MEMORYBLOCKS
– BootBlock (Top or Bottomlocation)
– Parameterand Main blocks
BLOCK, MULTI-BLOCKand CHIPERASE
MULTI BLOCKPROTECTION/TEMPORARY
UNPROTECTION MODES
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program anotherBlockduring
Erase Suspend
LOW POWER CONSUMPTION
– Stand-byand AutomaticStand-by
100,000 PROGRAM/ERASECYCLES per
BLOCK
20 YEARSDATARETENTION
– Defectivity below 1ppm/year
ELECTRONIC SIGNATURE
– ManufacturerCode: 0020h
– Device Code, M29W400T:00EEh
– Device Code, M29W400B:00EFh
DESCRIPTION
The M29W400 is a non-volatilememory that may
be erasedelectricallyat theblock or chipleveland
programmedin-systemona Byte-by-Byteor Word-
by-Wordbasisusingonlya single2.7Vto3.6VV
CC
supply. For Program and Erase operations the
necessary high voltages are generated internally.
The device can also be programmed in standard
programmers.
The arraymatrix organisationallows each blockto
be erased and reprogrammed without affecting
otherblocks. Blocks can be protectedagainst pro-
graming and erase on programming equipment,
and temporarily unprotected to make changes in
the application. Each block can be programmed
and erased over 100,000 cycles.
AI02065
18
A0-A17
W
DQ0-DQ14
VCC
M29W400T
M29W400B
E
VSS
15
G
RP
DQ15A–1
BYTE
RB
Logic Diagram
44
1
SO44 (M)
TSOP48 (N)
12 x 20 mm
BGA
FBGA48 (ZA)
8 x 6 solder balls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W800AB 8Mbit(1Mbx8 or 512Kbx16, Block Erase) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb閃速存儲(chǔ)器)
M29W800B 8Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory(8Mb低壓閃速存儲(chǔ)器)
M29W800DB90ZE1F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45N1F 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
M29W800DB45N1T 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W400T-100M1 功能描述:閃存 RO 511-M29W400BT55M 512KX8 OR 256KX16 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W400T-120M1 功能描述:電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器 512Kx8 or 256Kx16 RoHS:否 制造商:Atmel 存儲(chǔ)容量:2 Kbit 組織:256 B x 8 數(shù)據(jù)保留:100 yr 最大時(shí)鐘頻率:1000 KHz 最大工作電流:6 uA 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8
M29W512B120K1 功能描述:閃存 PLCC-32 64KX8 120NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W512B70K1 功能描述:閃存 PLCC-32 64KX8 70NS RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W512B70NZ1 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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