參數(shù)資料
型號： M29W160ET90ZA6F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 29/40頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160ET90ZA6F
29/40
M29W160ET, M29W160EB
APPENDIX A. BLOCK ADDRESS TABLE
Table 19. Top Boot Block Addresses,
M29W160ET
Table 20. Bottom Boot Block Addresses,
M29W160EB
#
Size
(KBytes)
Address Range
(x8)
Address Range
(x16)
34
16
1FC000h-1FFFFFh
FE000h-FFFFFh
33
8
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FD000h-FDFFFh
32
8
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FC000h-FCFFFh
31
32
1F0000h-1F7FFFh
F8000h-FBFFFh
30
64
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F0000h-F7FFFh
29
64
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E8000h-EFFFFh
28
64
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E0000h-E7FFFh
27
64
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D8000h-DFFFFh
26
64
1A0000h-1AFFFFh
D0000h-D7FFFh
25
64
190000h-19FFFFh
C8000h-CFFFFh
24
64
180000h-18FFFFh
C0000h-C7FFFh
23
64
170000h-17FFFFh
B8000h-BFFFFh
22
64
160000h-16FFFFh
B0000h-B7FFFh
21
64
150000h-15FFFFh
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20
64
140000h-14FFFFh
A0000h-A7FFFh
19
64
130000h-13FFFFh
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18
64
120000h-12FFFFh
90000h-97FFFh
17
64
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88000h-8FFFFh
16
64
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15
64
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78000h-7FFFFh
14
64
0E0000h-0EFFFFh
70000h-77FFFh
13
64
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10
64
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9
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8
64
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7
64
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6
64
060000h-06FFFFh
30000h-37FFFh
5
64
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28000h-2FFFFh
4
64
040000h-04FFFFh
20000h-27FFFh
3
64
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18000h-1FFFFh
2
64
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10000h-17FFFh
1
64
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0
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#
Size
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64
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64
180000h-18FFFFh
C0000h-C7FFFh
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64
170000h-17FFFFh
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64
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64
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64
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64
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32
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000000h-003FFFh
00000h-01FFFh
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160ET90ZA6T CLAMP
M29W160DB70ZA1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB70ZA6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DB90N1T Dual Positive-Edge-Triggered D-Type Flip-Flop 8-DSBGA -40 to 85
M29W160DB90N6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M29W160ET90ZA6T 功能描述:閃存 16M (2Mx8 or 1Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M29W160FB 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit or 32 Mbit (x 8 or x 16, boot block) 3 V supply Flash memory
M29W160FB70N3E 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 48TSOP AUTO RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70N3F 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M29W160FB70ZA3F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:
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