參數(shù)資料
型號： M29W160DB90ZA1T
廠商： 意法半導體
英文描述： 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
中文描述： 16兆位的2Mb x8或1兆x16插槽，啟動塊3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 21/40頁
文件大小： 665K
代理商： M29W160DB90ZA1T
21/40
M29W160ET, M29W160EB
Table 11. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
4.5
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
35
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current
(Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
Program/Erase Lockout
Supply Voltage
1.8
2.3
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M29W160DB90ZA6T DUAL 2-INPUT EXCLUSIVE-OR GATE 8-DSBGA -40 to 85
M29W160DT 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70M1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block 3V Supply Flash Memory
M29W160DT70M6T Dual Inverter Gate 6-SC70 -40 to 85
M29W160DT70N1T Quadruple 2-Input Positive-OR Gate 14-VQFN -40 to 85
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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