參數(shù)資料
型號： M29F512B70K1T
廠商： 意法半導體
英文描述： 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory
中文描述： 512千位64Kb的× 8，散單電源閃存
文件頁數(shù)： 9/16頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： M29F512B70K1T
9/16
M29F512B
Table 9. DC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C)
Symbol
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μA
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μA
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
15
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
± 0.2V
100
μA
I
CC3
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2
V
CC
+ 0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100μA
V
CC
– 0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μA
V
LKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
3.2
4.2
V
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PDF描述
M29F512B70NZ1T 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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M29F800DB55N1 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 55ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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