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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M29F400T-120M6R |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位512KB的x8或256Kb的x16插槽，啟動(dòng)座單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 14/22頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | M29F400T-120M6R |
M29F400BT, M29F400BB
14/22
Figure 8. Read Mode AC Waveforms
AI02907
tAVAV
tAVQV
tAXQX
tELQX
tEHQZ
tGLQV
tGLQX
tGHQX
VALID
A0-A17/
A–1
G
DQ0-DQ7/
DQ8-DQ15
E
tELQV
tEHQX
tGHQZ
VALID
tBHQV
tELBL/tELBH
tBLQZ
BYTE
Table 14. Read AC Characteristics
(TA = 0 to 70°C, –40 to 85°C or –40 to 125°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Alt
Parameter
Test Condition
M29F400B
Unit
45
55
70 / 90
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Min
45
55
70
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
E = V
IL
,
G = V
IL
Max
45
55
70
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output
Transition
G = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
G = V
IL
Max
45
55
70
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output
Transition
E = V
IL
Min
0
0
0
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
E = V
IL
Max
25
30
30
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
G = V
IL
Max
15
18
20
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
E = V
IL
Max
15
18
20
ns
t
EHQX
t
GHQX
t
AXQX
t
OH
Chip Enable, Output Enable or
Address Transition to Output
Transition
Min
0
0
0
ns
t
ELBL
t
ELBH
t
ELFL
t
ELFH
Chip Enable to BYTE Low or High
Max
5
5
5
ns
t
BLQZ
t
FLQZ
BYTE Low to Output Hi-Z
Max
15
15
20
ns
t
BHQV
t
FHQV
BYTE High to Output Valid
Max
30
30
30
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F512 | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B70K1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B70NZ1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B45K1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B45NZ1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F512B45K1 | 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 45ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F512B45NZ1 | 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 45ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F512B70K1 | 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AB70M1 | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AT70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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