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參數(shù)資料
| 型號： | M29F400T-120M6R |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Single Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位512KB的x8或256Kb的x16插槽，啟動(dòng)座單電源閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 13/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 208K |
| 代理商： | M29F400T-120M6R |
13/22
M29F400BT, M29F400BB
Table 13. DC Characteristics
(T
A
= 0 to 70°C, –40 to 85°C or –40 to 125°C)
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. T
A
= 25
°
C, V
CC
= 5V.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ.
(2)
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
, f = 6MHz
7
20
mA
I
CC2
Supply Current (Standby) TTL
E = V
IH
1
mA
I
CC3
Supply Current (Standby) CMOS
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
30
100
μ
A
I
CC4
(1)
Supply Current (Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2
V
CC
+0.5
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 5.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage TTL
I
OH
= –2.5mA
2.4
V
Output High Voltage CMOS
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
(1)
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29F512 | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B70K1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B70NZ1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B45K1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
| M29F512B45NZ1T | 512 Kbit 64Kb x8, Bulk Single Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29F512B45K1 | 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 45ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F512B45NZ1 | 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 45ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F512B70K1 | 功能描述:閃存 512K (64Kx8) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AB70M1 | 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29F800AT70N6 | 功能描述:閃存 1Mx8 or 512Kx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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