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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW640D70ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 64 Mbit (8Mb x8 or 4Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（8兆x8或4Mb的x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 52/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 942K |
| 代理商： | M29DW640D70ZA6T |
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M29DW640D
52/56
Figure 23. In-System Equipment Group Protect Flowchart
Note: 1. Block Protection Groups are shown in Appendix
D
, Table
23
.
2. RP can be either at V
IH
or at V
ID
when using the In-System Technique to protect the Extended Block.
AI07758
WRITE 60h
ADDRESS = GROUP ADDRESS
A0, A2, A3, A6 = VIL, A1 = VIH
n = 0
Wait 100μs
WRITE 40h
ADDRESS = GROUP ADDRESS
A0, A2, A3, A6 = VIL, A1 = VIH
RP = VIH
++n
= 25
START
PASS
YES
NO
DATA = 01h
YES
NO
RP = VIH
Wait 4μs
V
P
S
E
READ DATA
ADDRESS = GROUP ADDRESS
A0, A2, A3, A6 = VIL, A1 = VIH
RP = VID
ISSUE READ/RESET
COMMAND
WRITE 60h
ADDRESS = GROUP ADDRESS
A0, A2, A3, A6 = VIL, A1 = VIH
ISSUE READ/RESET
COMMAND
FAIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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