- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359024 > M29DW324DT70N1E (意法半導(dǎo)體) 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M29DW324DT70N1E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，雙行16點16分，啟動塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 24/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 815K |
| 代理商： | M29DW324DT70N1E |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當(dāng)前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁
M29DW324DT, M29DW324DB
24/49
Table 12. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. In Dual operations the Supply Current will be the sum of
I
CC1
(read) and
I
CC3
(program/erase).
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1(2)
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
100
μ
A
I
CC3
(1,2)
Supply Current (Program/
Erase)
Program/Erase
Controller active
V
PP
/WP =
V
IL
or V
IH
20
mA
V
PP
/WP = V
PP
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
PP
Voltage for
V
PP
/WP
Program
Acceleration
V
CC
= 3.0V ±10%
11.5
12.5
V
I
PP
Current for
V
PP
/WP
Program
Acceleration
V
CC
= 3.0V ±10%
15
mA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
V
LKO
Program/Erase Lockout Supply
Voltage
1.8
2.3
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW324DT70N1F | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT90N1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DB90N1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT90ZA1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DB90ZA1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW324DT70N1F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT70N1T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT70N6 | 功能描述:閃存 32M (4Mx8 or 2Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW324DT70N6E | 功能描述:閃存 32M (4Mx8 or 2Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW324DT70N6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。