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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW324DT70N1F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位4Mb的x8或功能的2Mb x16插槽，雙行16點16分，啟動塊3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 1/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 815K |
| 代理商： | M29DW324DT70N1F |
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June 2003
M29DW324DT
M29DW324DB
32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block)
3V Supply Flash Memory
FEATURES SUMMARY
I
SUPPLY VOLTAGE
– V
CC
=
2.7V to 3.6V for Program, Erase and
Read
– V
PP
=12V for Fast Program (optional)
I
ACCESS TIME: 70, 90ns
I
PROGRAMMING TIME
– 10μs per Byte/Word typical
– Double Word/ Quadruple Byte Program
I
MEMORY BLOCKS
– Dual Bank Memory Array: 16Mbit+16Mbit
– Parameter Blocks (Top or Bottom Location)
I
DUAL OPERATIONS
– Read in one bank while Program or Erase in
other
I
ERASE SUSPEND and RESUME MODES
– Read and Program another Block during
Erase Suspend
I
UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND
– Faster Production/Batch Programming
I
V
PP
/WP PIN for FAST PROGRAM and WRITE
PROTECT
I
TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION
MODE
I
COMMON FLASH INTERFACE
– 64 bit Security Code
I
EXTENDED MEMORY BLOCK
– Extra block used as security block or to store
additional information
I
LOW POWER CONSUMPTION
– Standby and Automatic Standby
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 0020h
– Top Device Code M29DW324DT: 225Ch
– Bottom Device Code M29DW324DB: 225Dh
Figure 1. Packages
TSOP48 (N)
12 x 20mm
FBGA
TFBGA63 (ZA)
7 x 11mm
FBGA
TFBGA48 (ZE)
6 x 8mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW324DT90N1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DB90N1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT90ZA1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DB90ZA1 | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT90ZA1E | 32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29DW324DT70N1T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT70N6 | 功能描述:閃存 32M (4Mx8 or 2Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW324DT70N6E | 功能描述:閃存 32M (4Mx8 or 2Mx16) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW324DT70N6F | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block 3V Supply Flash Memory |
| M29DW324DT70N6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:32 Mbit (4Mb x8 or 2Mb x16, Dual Bank 16:16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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