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參數資料
| 型號： | M29DW128F60ZA1T |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數： | 52/93頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA1T |
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10 DC and AC parameters
M29DW128F
52/93
10
DC and AC parameters
This section summarizes the operating measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the device. The parameters in the DC and AC characteristics Tables that
follow, are derived from tests performed under the Measurement Conditions summarized in
Table 23: Operating and AC Measurement Conditions
. Designers should check that the
operating conditions in their circuit match the operating conditions when relying on the quoted
parameters.
Table 23.
Operating and AC Measurement Conditions
Figure 10. AC Measurement I/O Waveform
Figure 11. AC Measurement Load Circuit
Parameter
M29DW128F
Unit
60
70
Min
Max
Min
Max
V
CC
Supply Voltage
2.7
3.6
2.7
3.6
V
Ambient Operating Temperature
–40
85
–40
85
°C
Load Capacitance (C
L
)
30
30
pF
Input Rise and Fall Times
10
10
ns
Input Pulse Voltages
0 to V
CC
0 to V
CC
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
V
CC
/2
V
CC
/2
V
AI05557
VCC
0V
VCC/2
AI05558
CL
CL includes JIG capacitance
DEVICE
UNDER
TEST
25k
VCC
25k
VCC
0.1μF
VPP
0.1μF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6E | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6F | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F70NF1 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA6 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60ZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F70NF1 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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