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參數(shù)資料
| 型號： | M29DW128F60ZA1F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| 中文描述： | 128兆位（16Mb的x8或和8Mb x16插槽，多行，頁，引導(dǎo)塊）3V電源，快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 31/93頁 |
| 文件大小： | 719K |
| 代理商： | M29DW128F60ZA1F |
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M29DW128F
6 Command Interface
31/93
One of the Erase Commands must be used to set all the bits in a block or in the whole memory
from ’0’ to ’1’.
6.1.11 Verify command
The Verify command is used to check if a block is blank or in other words, if it has been
successfully erased and all its bits set to ’1’. It reads the value of the Error Bit DQ5. If the Error
Bit is set to ’1’, it indicates that the operation failed.
Three cycles are required to issue a Verify command:
1.
The command starts with two unlock cycles.
2.
The third Bus Write cycle sets up the Verify command code along with the address of the
block to be checked.
Table 11.
Standard Commands, 8-bit Mode
Command
L
Bus Operations
(1)(2)
1.
Grey cells represent Read cycles. The other cells are Write cycles.
2.
X Don’t Care, PA Program Address, PD Program Data, BA Any address in the Block, BKA Bank Address. All values in the
table are in hexadecimal.
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
Add
Data Add
Dat
a
Add
Data Add Data Add
Data
Add Data
Read/Reset
1
X
F0
3
AAA
AA
555
55
X
F0
Auto
Select
Manufacturer Code
3
AAA
AA
555
55
(BKA)
AAA
90
(3)
3.
The Auto Select addresses and data are given in
Table 4: Read Electronic Signature, 8-bit Mode
, and
Table 5: Block
Protection, 8-bit Mode
, except for A9 that is ‘Don’t Care’.
(3)
Device Code
Extended Block Protection
Indicator
Block Protection Status
Program
4
AAA
AA
555
55
AAA
A0
PA
PD
Verify
3
AAA
AA
555
55
BA
BC
Chip Erase
6
AAA
AA
555
55
AAA
80
AA
A
AA
555
55
AAA
10
Block Erase
6
+
AAA
AA
555
55
AAA
80
AA
A
AA
555
55
BA
30
Erase/Program Suspend
1
BKA
B0
Erase/Program Resume
1
BKA
30
Read CFI Query
1
(BKA)
AAA
98
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29DW128F60ZA1T | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
| M29DW128F60ZA6 | 128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V Supply, Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| M29DW128F60ZA6 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6E | 功能描述:閃存 STD FLASH 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29DW128F60ZA6F | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
| M29DW128F60ZA6T | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:128 Mbit (16Mb x8 or 8Mb x16, Multiple Bank, Page, Boot Block) 3V supply Flash memory |
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